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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美半导体)的型号 NGTB75N65FL2WG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于 UGBT(Ultra-Gated Bipolar Transistor)系列。它具有 650V 的额定电压和 75A 的最大连续漏极电流能力,适用于高功率、高效率的开关应用。以下是该型号的主要应用场景: 1. 工业电源 - 开关电源 (SMPS):用于高效能的 AC-DC 或 DC-DC 转换器中,提供快速开关和低损耗特性。 - 不间断电源 (UPS):在 UPS 系统中作为主功率开关器件,支持逆变和整流功能。 2. 电机驱动 - 工业电机控制:用于大功率电机驱动器,支持高效的速度和扭矩控制。 - 伺服系统:在高性能伺服驱动器中,实现精确的运动控制。 3. 新能源领域 - 太阳能逆变器:用于将直流电转换为交流电的光伏逆变器中,支持高效的能量转换。 - 风力发电系统:在风力发电机的功率调节单元中,用于功率转换和管理。 4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) - 车载充电器 (OBC):用于将电网交流电转换为电池所需的直流电。 - DC-DC 转换器:在高压到低压的转换过程中,提供高效的能量传递。 - 牵引逆变器:用于驱动电动机,支持车辆的动力输出。 5. 焊接设备 - 在高频焊接机中作为功率开关,支持稳定的电流输出和高效的能量转换。 6. 照明系统 - 高压 LED 驱动器:用于高功率 LED 照明系统,支持恒流驱动和高效能量管理。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):减少导通损耗,提高系统效率。 - 高雪崩能力:增强器件的鲁棒性和可靠性。 - 快速开关速度:降低开关损耗,适合高频应用。 - 出色的热性能:能够在高功率密度环境下稳定运行。 综上所述,NGTB75N65FL2WG 适用于需要高电压、大电流和高效能的电力电子应用,广泛应用于工业、能源、交通和照明等领域。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 110ns/270ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
描述 | IGBT 600V 75A TO247 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 310nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NGTB75N65FL2WG |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 1.5mJ(开),1mJ(关) |
TestCondition | 400V, 75A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V,75A |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 595W |
包装 | * |
反向恢复时间(trr) | 80ns |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100A |
输入类型 | 标准 |