ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > NGTB40N60FLWG
Datasheet下载- 型号： NGTB40N60FLWG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB40N60FLWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB40N60FLWG价格参考。ON SemiconductorNGTB40N60FLWG封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 600V 80A 257W Through Hole TO-247。您可以下载NGTB40N60FLWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB40N60FLWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NGTB40N60FLWG是一款MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT（超结沟槽栅场效应晶体管）类别。该型号的主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：这款MOSFET广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、不间断电源（UPS）等。其低导通电阻和高耐压特性使得它能够在高效能要求下稳定工作，减少能量损耗。 2. 电机驱动：在工业自动化和消费电子领域，用于控制电机的速度和方向。例如，在电动工具、家用电器（如空调、洗衣机）、伺服控制系统等设备中，能够提供精确的电流控制，确保电机平稳运行。 3. 逆变器与太阳能系统：适用于光伏逆变器和其他可再生能源转换装置。由于其出色的热性能和快速切换能力，可以有效提高转换效率，降低发热，延长设备寿命。 4. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV）：作为车载充电器、DC/DC转换器以及牵引逆变器的关键组件，支持车辆电气系统的高效运作。具备良好的抗干扰性和可靠性，适应复杂的车用环境。 5. 照明系统：可用于LED驱动电路，特别是在大功率LED照明应用中，如路灯、隧道灯等。凭借其高击穿电压和低功耗特点，保证了灯具的安全性和节能效果。 总结来说，NGTB40N60FLWG因其优异的电气参数和稳定性，成为众多电力电子设备的理想选择，尤其适合需要高可靠性和高性能表现的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 85ns/174ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
| 描述 | IGBT 600V 80A 257W TO247IGBT 晶体管 IGBT 600V 40A FS1 Solar/UPS |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 171nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB40N60FLWG- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB40N60FLWG |
| SwitchingEnergy | 890µJ （开）， 440µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 40A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V，40A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | NGTB40N60FLWGOS |
| 功率-最大值 | 257W |
| 功率耗散 | 257 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 77ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | NGTB40N60FLWG |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
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