ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > NGTB40N120IHRWG
Datasheet下载- 型号： NGTB40N120IHRWG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB40N120IHRWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB40N120IHRWG价格参考。ON SemiconductorNGTB40N120IHRWG封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 384W Through Hole TO-247。您可以下载NGTB40N120IHRWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB40N120IHRWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（现为安森美半导体）的NGTB40N120IHRWG是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超高压沟槽栅MOSFET（UGBT）系列，主要应用于高电压、高效率的电力电子系统中。以下是其典型应用场景： 1. 工业电源 - 该型号适用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和DC-DC转换器等工业电源设备。其高电压耐受能力（1200V）使其能够在高压环境下稳定工作，适合用于服务器电源、通信电源及工业自动化设备。 2. 电机驱动 - NGTB40N120IHRWG可用于三相逆变器和电机驱动电路，特别是在需要高电压和高效能的工业电机控制场景中。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于降低功耗，提高系统效率。 3. 太阳能逆变器 - 在光伏系统中，这款MOSFET可以用于太阳能逆变器的核心功率转换电路。其出色的开关性能和热稳定性能够支持高效的能量转换，适应恶劣的工作环境。 4. 电动车与混合动力汽车 - 该器件可应用于电动车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及牵引逆变器模块。其高可靠性和耐压能力满足车辆电气系统的需求。 5. 不间断电源（UPS） - 在UPS系统中，NGTB40N120IHRWG可用于电池充放电管理、逆变输出等环节，提供稳定的电力供应并确保系统的高效运行。 6. 焊接设备 - 由于其高电压和大电流处理能力，这款MOSFET也适用于工业焊接设备中的功率控制电路，支持精确的能量输出。 7. 其他应用 - 包括高频变压器驱动、电磁炉功率控制、LED照明驱动等需要高压切换的应用领域。 总结来说，NGTB40N120IHRWG凭借其1200V的额定电压、低导通电阻和优异的开关性能，广泛适用于各种高电压、高效率的电力电子设备，特别适合对可靠性要求较高的工业和汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/230ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 1200V 80A 384W TO247IGBT 晶体管 1200V/40A RC IGBT FSII |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 225nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB40N120IHRWG- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB40N120IHRWG |
| SwitchingEnergy | 950µJ （关） |
| TestCondition | 600V, 40A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.55V @ 15V， 40A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | NGTB40N120IHRWGOS |
| 功率-最大值 | 384W |
| 功率耗散 | 384 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 25 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | NGTB40N120IHR |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.3 V |
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