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Datasheet下载- 型号： NGTB40N120FLWG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB40N120FLWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB40N120FLWG价格参考。ON SemiconductorNGTB40N120FLWG封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 260W Through Hole TO-247。您可以下载NGTB40N120FLWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB40N120FLWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NGTB40N120FLWG是一款N沟道MOSFET晶体管，属于Ultrafast Gen II系列。该型号的主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） NGTB40N120FLWG具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（1200V），非常适合用于开关电源中的高频开关应用。其快速开关特性和低损耗特性使其成为高效电源转换的理想选择。 2. 电机驱动 在工业控制和消费电子领域，该器件可用于驱动中小型电机。其高耐压能力能够承受电机启动时的浪涌电流，同时低Rds(on)有助于减少功率损耗，提高系统效率。 3. 逆变器 适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等场景。NGTB40N120FLWG的高电压和大电流处理能力，使其能够在逆变器中实现稳定的直流到交流转换。 4. 负载开关 在需要高压负载切换的应用中，如电动车充电器或工业设备，这款MOSFET可以作为高效的开关元件，提供可靠的负载通断功能。 5. DC-DC转换器 由于其出色的开关性能和低导通电阻，NGTB40N120FLWG适合用作同步整流器或主开关，在DC-DC转换器中实现高效率的能量传输。 6. 电磁兼容性（EMI）滤波电路 在一些需要高压隔离的应用中，这款MOSFET可以用作滤波电路中的开关元件，帮助抑制电磁干扰。 7. 电动车（EV）和混合动力车（HEV） 在电动车和混合动力车的电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）以及DC-DC转换器中，该器件能够满足高压环境下的性能需求。 总结来说，NGTB40N120FLWG凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电力电子领域，尤其是在需要高效能量转换和高压处理的场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 130ns/385ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
| 描述 | IGBT 1200V 40A TO247IGBT 晶体管 1200V/40A IGBT SOLAR/UPS |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 415nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB40N120FLWG- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB40N120FLWG |
| SwitchingEnergy | 2.6mJ （开）， 1.6mJ （关） |
| TestCondition | 600V, 40A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，40A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 260W |
| 功率耗散 | 260 W |
| 包装 | * |
| 反向恢复时间(trr) | 200ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 25 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 200 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | NGTB40N120FL |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2 V |
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