ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > NGTB40N120FL2WG
Datasheet下载- 型号： NGTB40N120FL2WG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB40N120FL2WG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB40N120FL2WG价格参考。ON SemiconductorNGTB40N120FL2WG封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 535W Through Hole TO-247。您可以下载NGTB40N120FL2WG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB40N120FL2WG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NGTB40N120FL2WG是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT（超结功率MOSFET）类别。该型号具有以下关键特性，适用于多种应用场景： 1. 高压应用 - 额定电压：1200V，适合高压环境下的开关和功率转换。 - 应用场景：用于高压直流-直流转换器、逆变器以及电机驱动中的高压侧开关。 2. 低导通电阻 - 导通电阻低至0.4Ω（典型值），能够减少功率损耗，提高效率。 - 应用场景：高效能电源管理设备，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）等。 3. 快速开关性能 - 具有较低的栅极电荷和输出电荷，支持高频开关操作。 - 应用场景：高频开关电路，例如PFC（功率因数校正）电路、太阳能逆变器等。 4. 高可靠性 - 采用先进的制造工艺，具备良好的热稳定性和耐用性。 - 应用场景：工业设备中的功率控制模块，如伺服驱动器、焊接设备等。 5. 紧凑封装 - 封装形式为TO-268-2（D2PAK），便于散热设计，适合空间受限的应用。 - 应用场景：小型化设计的电力电子设备，如电动工具、家电变频控制器等。 典型应用场景总结： - 工业领域：伺服电机驱动、工业自动化设备、焊接机。 - 能源领域：太阳能逆变器、风力发电系统。 - 消费电子：家用电器变频控制器、电动工具。 - 汽车领域：电动汽车充电设备、车载逆变器。 - 通信领域：通信基站电源、数据中心电源。 该型号凭借其高电压承受能力、低导通电阻和快速开关性能，成为高压功率转换和控制应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 116ns/286ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
| 描述 | IGBT 1200V 80A 535W TO247IGBT 晶体管 1200V/40A FAST IGBT FSII |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 313nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB40N120FL2WG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB40N120FL2WG |
| SwitchingEnergy | 3.4mJ （开）， 1.1mJ （关） |
| TestCondition | 600V, 40A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V，40A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | NGTB40N120FL2WGOS |
| 功率-最大值 | 535W |
| 功率耗散 | 535 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 240ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 200 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | NGTB40N120FL2 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2 V |
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