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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NGD8201ANT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGD8201ANT4G价格参考。ON SemiconductorNGD8201ANT4G封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 440V 20A 125W Surface Mount DPAK。您可以下载NGD8201ANT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGD8201ANT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | -/5µs |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
描述 | IGBT 440V 20A 125W DPAKIGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | - |
IGBT类型 | - |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGD8201ANT4G- |
数据手册 | |
产品型号 | NGD8201ANT4G |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | 300V,9A,1 千欧,5V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V,20A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
其它名称 | NGD8201ANT4GOSDKR |
功率-最大值 | 125W |
功率耗散 | 125 W |
包装 | Digi-Reel® |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | ON Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 20 A |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK |
工厂包装数量 | 2500 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 15 V |
栅极—射极漏泄电流 | 300 uA |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 440V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 20A |
系列 | NGD8201A |
输入类型 | 逻辑 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 440 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |