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型号： NGD18N40CLBT4G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NGD18N40CLBT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGD18N40CLBT4G价格参考。ON SemiconductorNGD18N40CLBT4G封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 430V 15A 115W Surface Mount DPAK。您可以下载NGD18N40CLBT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGD18N40CLBT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NGD18N40CLBT4G 是由 Littelfuse Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 UGBT 类别。该型号的晶体管具有出色的开关性能和低导通电阻，适用于多种电力电子应用领域。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   NGD18N40CLBT4G 广泛应用于开关电源（SMPS）中，作为功率开关器件。它能够高效地控制电压和电流的传输，确保电源系统的稳定性和效率。该 MOSFET 的低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高电源转换效率。

 2. 电机驱动
   在电机驱动电路中，MOSFET 用于控制电机的启动、停止和调速。NGD18N40CLBT4G 可以快速响应控制信号，实现精确的速度控制和扭矩调节。其耐压能力（400V）使其适合用于较高电压的电机驱动系统，如电动工具、家用电器等。

 3. 逆变器
   逆变器是将直流电转换为交流电的关键设备，广泛应用于太阳能发电系统、不间断电源（UPS）等领域。NGD18N40CLBT4G 可以在逆变器中用作开关元件，通过高频开关操作实现高效的直流-交流转换，同时保持较低的热损耗。

 4. 电池管理系统
   在电池管理系统（BMS）中，MOSFET 用于控制电池的充放电过程，防止过充或过放。NGD18N40CLBT4G 的高可靠性和低功耗特性使其成为理想的选择，尤其是在电动汽车和储能系统中，能够有效延长电池寿命并提高安全性。

 5. 工业自动化
   工业自动化设备中的各种传感器、执行器和控制器通常需要高效的功率控制。NGD18N40CLBT4G 可用于这些设备的电源管理和信号传输，确保系统的稳定运行。此外，它还可以用于电磁阀、继电器等设备的驱动，提供快速且可靠的开关功能。

 6. 消费电子产品
   在消费电子产品中，如笔记本电脑适配器、充电器等，NGD18N40CLBT4G 可以用于功率转换和保护电路，确保设备的安全性和能效。其紧凑的封装形式使得它特别适合小型化设计。

总之，NGD18N40CLBT4G 凭借其高性能和可靠性，适用于广泛的电力电子应用，尤其在需要高效功率转换和控制的场合表现突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	-
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	50A
描述	IGBT 430V 15A 115W DPAK
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	-
IGBT类型	-
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NGD18N40CLBT4G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	-
TestCondition	-
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.5V @ 4V， 15A
供应商器件封装	DPAK-3
其它名称	NGD18N40CLBT4GOSCT
功率-最大值	115W
包装	剪切带（CT）
反向恢复时间(trr)	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	430V
电流-集电极(Ic)（最大值）	15A
输入类型	逻辑