ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > NGD18N40CLBT4
Datasheet下载- 型号： NGD18N40CLBT4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGD18N40CLBT4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGD18N40CLBT4价格参考。ON SemiconductorNGD18N40CLBT4封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 430V 15A 115W Surface Mount DPAK。您可以下载NGD18N40CLBT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGD18N40CLBT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NGD18N40CLBT4是一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT（超结沟槽栅）类型，主要应用于高压、高效能电力电子设备中。这款MOSFET具有以下特点和应用场景： 1. 高电压耐受能力：该型号的最大漏源极击穿电压（VDS）为400V，适用于需要高电压操作的电路，如开关电源、电机驱动器、逆变器等。 2. 低导通电阻：其导通电阻（RDS(on)）在不同条件下通常较低，这有助于减少功率损耗，提高效率，特别适合于需要频繁开关的应用，如DC-DC转换器、电池管理系统等。 3. 快速开关特性：具备快速开关速度，能够有效降低开关损耗，提升系统效率。这使得它非常适合用于高频开关电源、光伏逆变器等领域。 4. 紧凑封装：采用TO-252 (DPAK) 封装形式，体积较小，便于安装在空间有限的电路板上，同时也有利于散热设计。 5. 可靠性与耐用性：由于采用了先进的制造工艺和技术，确保了器件在恶劣环境下的稳定性和长寿命，可用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的场合。 6. 节能环保：凭借高效的电能转换性能，可以显著减少能源浪费，符合现代电子产品追求绿色节能的趋势。 总之，NGD18N40CLBT4广泛应用于各种需要高效能、高可靠性的电力电子设备中，特别是在那些涉及高压直流转换、交流/直流变换以及电机控制的领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 430V 15A 115W DPAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGD18N40CLBT4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 4V， 15A |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NGD18N40CLBT4OS |
| 功率-最大值 | 115W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 430V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 15A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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