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  • 型号: NESG3031M05-T1-A
  • 制造商: CEL
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NESG3031M05-T1-A由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NESG3031M05-T1-A价格参考。CELNESG3031M05-T1-A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NESG3031M05-T1-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NESG3031M05-T1-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

CEL

产品目录

半导体

描述

射频双极晶体管 NPN SiGe High Freq

产品分类

分离式半导体

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NESG3031M05-T1-A

产品型号

NESG3031M05-T1-A

产品种类

射频双极晶体管

功率耗散

150 mW

发射极-基极电压VEBO

1.5 V

商标

CEL

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/箱体

M05

工厂包装数量

3000

技术

SiGe

晶体管极性

NPN

晶体管类型

Bipolar

最大工作温度

+ 150 C

最大工作频率

110000 MHz

最小工作温度

- 65 C

类型

RF Silicon Germanium

配置

Single Dual Emitter

集电极连续电流

0.035 A

频率

110000 MHz

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