Datasheet下载- 型号： NESG2101M05-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NESG2101M05-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NESG2101M05-A价格参考。CELNESG2101M05-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NESG2101M05-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NESG2101M05-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 2GHZ M05射频双极晶体管 NPN SiGe High Freq |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NESG2101M05-A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NESG2101M05-A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 130 @ 15mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | M05 |
| 其它名称 | NESG2101M05A |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 175 mW |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| 增益 | 11dB ~ 19dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 技术 | SiGe |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| 集电极连续电流 | 35 mA |
| 频率-跃迁 | 17GHz |
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