【晶体管 - 双极 (BJT) - 射频_NE856M02-T1-AZ】封装/厂家_NE856M02-T1-AZ中文资料_价格

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型号： NE856M02-T1-AZ
制造商： CEL
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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NE856M02-T1-AZ产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NE856M02-T1-AZ由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE856M02-T1-AZ价格参考。CELNE856M02-T1-AZ封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount SOT-89。您可以下载NE856M02-T1-AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE856M02-T1-AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89射频双极晶体管 NPN Low Distort Amp
产品分类	RF 晶体管 (BJT)分离式半导体
品牌	CEL
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE856M02-T1-AZ-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NE856M02-T1-AZ
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	50 @ 20mA，10V
产品种类	射频双极晶体管
供应商器件封装	SOT-89
其它名称	NE856M02-T1-AZ-ND NE856M02-T1-AZTR NE856M02T1AZ
功率-最大值	1.2W
包装	带卷（TR）
商标	CEL
噪声系数（dB，不同f时的典型值）	1.1dB ~ 3dB @ 1GHz
增益	-
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-243AA
封装/箱体	M02
工厂包装数量	1000
技术	Silicon
晶体管极性	NPN
晶体管类型	Bipolar
标准包装	1,000
电压-集射极击穿（最大值）	12V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
直流集电极/BaseGainhfeMin	250
类型	RF Bipolar Small Signal
配置	Single
集电极连续电流	0.1 A
频率-跃迁	6.5GHz

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