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  • 型号: NE85634-A
  • 制造商: CEL
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NE85634-A产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89射频双极晶体管 NPN High Frequency

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

CEL

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE85634-A-

数据手册

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产品型号

NE85634-A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

50 @ 20mA,10V

产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

SOT-89

其它名称

NE85634A

功率-最大值

2W

功率耗散

2 W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

3 V

商标

CEL

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.4dB @ 1GHz

增益

-

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

SOT-89

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

Bipolar Power

最大工作温度

+ 150 C

最大工作频率

6.5 GHz

最大直流电集电极电流

100 mA

最小工作温度

+ 25 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

直流集电极/BaseGainhfeMin

120

类型

RF Bipolar Power

配置

Single Dual Collector

集电极—发射极最大电压VCEO

12 V

集电极连续电流

20 mA

频率

6.5 GHz

频率-跃迁

6.5GHz

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