ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > NE85633-T1B
Datasheet下载- 型号： NE85633-T1B
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85633-T1B由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85633-T1B价格参考。CELNE85633-T1B封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23。您可以下载NE85633-T1B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE85633-T1B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 1GHZ SOT-23 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE85633-T1B |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 20mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | NE85633 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| 增益 | 9dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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