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Datasheet下载- 型号： NE85633-T1B-R25-A
- 制造商： CEL
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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NE85633-T1B-R25-A产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85633-T1B-R25-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85633-T1B-R25-A价格参考。CELNE85633-T1B-R25-A封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23。您可以下载NE85633-T1B-R25-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE85633-T1B-R25-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23射频双极晶体管 NPN High Frequency |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE85633-T1B-R25-A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NE85633-T1B-R25-A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 20mA，10V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | NE85633-T1B-R25-ACT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| 增益 | 9dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 1 GHz |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率 | 1 GHz |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
