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  • 型号: NE85633-T1B-A
  • 制造商: CEL
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NE85633-T1B-A由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85633-T1B-A价格参考。CELNE85633-T1B-A封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23。您可以下载NE85633-T1B-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE85633-T1B-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23射频双极晶体管 NPN High Frequency

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

CEL

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE85633-T1B-A-

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产品型号

NE85633-T1B-A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

50 @ 20mA,10V

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产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

SOT-23

其它名称

2SC3356-T1B
NE85633B-ATR
NE85633T1BA

功率-最大值

200mW

功率耗散

0.2 W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

3 V

商标

CEL

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.4dB ~ 2dB @ 1GHz

增益

9dB

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大工作温度

+ 150 C

最大工作频率

1 GHz

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

类型

RF Bipolar Small Signal

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

12 V

集电极连续电流

0.1 A

频率

1 GHz

频率-跃迁

7GHz

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