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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85633-T1B-A由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85633-T1B-A价格参考。CELNE85633-T1B-A封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23。您可以下载NE85633-T1B-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE85633-T1B-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23射频双极晶体管 NPN High Frequency |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | CEL |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE85633-T1B-A- |
数据手册 | |
产品型号 | NE85633-T1B-A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 20mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-23 |
其它名称 | 2SC3356-T1B |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 0.2 W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 3 V |
商标 | CEL |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
增益 | 9dB |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大工作温度 | + 150 C |
最大工作频率 | 1 GHz |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
类型 | RF Bipolar Small Signal |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率 | 1 GHz |
频率-跃迁 | 7GHz |