ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > NE85630-T1
Datasheet下载- 型号： NE85630-T1
- 制造商： CEL
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85630-T1由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85630-T1价格参考。CELNE85630-T1封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 150mW Surface Mount SOT-323。您可以下载NE85630-T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE85630-T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CEL品牌的NE85630-T1是一款射频（RF）双极晶体管（BJT），主要用于高频放大和开关应用。该器件具有出色的射频性能，适用于多种通信系统、无线设备和其他高频电路中。 应用场景： 1. 射频功率放大器： NE85630-T1广泛应用于射频功率放大器中，特别是在无线通信系统中，如蜂窝基站、Wi-Fi路由器、卫星通信设备等。它能够在高频率下提供稳定的增益和输出功率，确保信号的可靠传输。 2. 射频前端模块： 在射频前端模块中，NE85630-T1可以用于低噪声放大器（LNA）、驱动放大器和功率放大器等关键组件。这些模块是无线通信设备的核心部分，负责接收和发送射频信号，NE85630-T1的高性能有助于提高系统的整体效率和可靠性。 3. 无线发射机和接收机： 该晶体管适用于各种无线发射机和接收机的设计，包括对讲机、无线电收发器、雷达系统等。其优异的线性和动态范围特性，使得它能够在复杂的射频环境中保持良好的工作状态。 4. 测试与测量设备： 在射频测试与测量设备中，NE85630-T1可以用于信号发生器、频谱分析仪等仪器中，提供精确的射频信号处理能力。这有助于工程师和技术人员进行准确的射频性能评估和故障诊断。 5. 工业和军事应用： 由于其出色的射频特性和稳定性，NE85630-T1还广泛应用于工业和军事领域的射频设备中，如工业自动化控制系统、军事通信设备等。这些应用通常要求更高的可靠性和耐用性，NE85630-T1能够满足这些严苛的要求。 总之，NE85630-T1凭借其卓越的射频性能，在多个领域中扮演着重要角色，尤其适合需要高效、稳定射频信号处理的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 1GHZ SOT-323 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE85630-T1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 7mA，3V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 2SC4226 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| 增益 | 6dB ~ 12dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 频率-跃迁 | 4.5GHz |
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