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Datasheet下载- 型号： NE85630-A
- 制造商： CEL
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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NE85630-A产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85630-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85630-A价格参考。CELNE85630-A封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 150mW Surface Mount SOT-323。您可以下载NE85630-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE85630-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323射频双极晶体管 NPN High Frequency |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE85630-A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NE85630-A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 7mA，3V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | NE85630A |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 0.150 W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| 增益 | 6dB ~ 12dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 4.5GHz |
