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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NE68519-A由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE68519-A价格参考。CELNE68519-A封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 6V 30mA 12GHz 125mW Surface Mount SOT-523。您可以下载NE68519-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE68519-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CEL(California Eastern Laboratories)品牌的NE68519-A是一款射频(RF)双极晶体管(BJT),主要用于高频和射频应用领域。以下是该型号晶体管的主要应用场景: 1. 射频放大器 NE68519-A常用于射频放大器的设计中,尤其是在VHF(甚高频,30-300 MHz)和UHF(特高频,300-3000 MHz)频段。它能够提供高增益和低噪声性能,适用于无线通信设备中的前端放大器、中间频率(IF)放大器等。例如,在对讲机、无线电接收器、发射器以及卫星通信系统中,NE68519-A可以有效提升信号强度,确保通信质量。 2. 混频器 在射频电路中,混频器是将一个频率的信号转换为另一个频率的关键组件。NE68519-A由于其良好的线性度和高频率响应特性,适合用作混频器中的有源元件。它可以将接收到的高频信号与本地振荡器信号混合,生成所需的中频信号,广泛应用于调谐器、雷达系统和无线电接收设备中。 3. 振荡器 NE68519-A也可以用于构建射频振荡器,特别是需要高稳定性和低相位噪声的应用场景。通过适当的反馈网络设计,NE68519-A可以产生稳定的射频载波信号,适用于时钟生成、本地振荡器(LO)以及锁相环(PLL)系统中。这类应用常见于无线通信基站、导航系统和测试测量设备中。 4. 开关和调制电路 在某些射频电路中,NE68519-A可以用作开关或调制器。例如,在脉冲调制电路中,它可以在高速下切换状态,控制信号的通断;在调幅(AM)、调频(FM)或调相(PM)调制电路中,它可以帮助实现信号的调制功能。这些特性使其适用于无线遥控、调制解调器以及其他需要快速响应的射频控制系统。 5. 低噪声放大器(LNA) NE68519-A具有较低的噪声系数,因此非常适合用于低噪声放大器的设计。在微波通信、卫星接收、GPS定位等对噪声敏感的应用中,使用NE68519-A可以有效降低噪声干扰,提高系统的整体性能。 综上所述,NE68519-A凭借其优异的射频性能,广泛应用于各种高频通信设备、无线传输系统及测试仪器中,特别是在需要高增益、低噪声和高稳定性的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 2GHZ MINIMOLD射频双极晶体管 NPN High Frequency |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | CEL |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE68519-A- |
数据手册 | |
产品型号 | NE68519-A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 75 @ 10mA,3V |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | 3 针 SuperMiniMold (19) |
其它名称 | NE68519A |
功率-最大值 | 125mW |
功率耗散 | 0.125 W |
包装 | 散装 |
发射极-基极电压VEBO | 2 V |
商标 | CEL |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
增益 | 7.5dB |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | SOT-523 |
封装/箱体 | SOT-343 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | Bipolar |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 6V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 30mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 75 |
类型 | RF Bipolar Small Signal |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 6 V |
集电极连续电流 | 30 mA |
频率-跃迁 | 12GHz |