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型号： NE5531079A-A
制造商： CEL
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NE5531079A-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE5531079A-A价格参考。CELNE5531079A-A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 7.5V 200mA 460MHz 40dBm 79A。您可以下载NE5531079A-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE5531079A-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NE5531079A-A 是由 CEL（California Eastern Laboratories）制造的射频 MOSFET 晶体管。这类器件广泛应用于高频和射频电路中，特别是在无线通信、雷达系统、射频放大器和其他需要高效处理射频信号的设备中。

 应用场景：

1. 射频功率放大器：
   NE5531079A-A 适用于射频功率放大器的设计，尤其在高频段如 UHF 和 L 波段表现出色。它能够提供高增益和低噪声性能，适合用于基站、卫星通信和军事雷达等应用场景。

2. 无线通信设备：
   在无线通信领域，该器件可以用于设计高性能的发射机和接收机前端。其高线性度和低失真特性使得它在蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙等无线通信系统中有广泛应用。

3. 射频开关：
   NE5531079A-A 还可以用作射频开关，实现信号路径的选择和切换。它具有快速开关速度和低插入损耗，适用于多频段通信设备中的天线切换、频率合成器等应用。

4. 低噪声放大器 (LNA)：
   在接收机前端，低噪声放大器是关键组件。NE5531079A-A 的低噪声系数使其成为构建高性能 LNA 的理想选择，能够在不显著增加噪声的情况下放大微弱的射频信号。

5. 射频识别 (RFID) 系统：
   该器件还可以用于 RFID 阅读器的设计，特别是在高频和超高频 RFID 系统中。它的高效率和可靠性确保了数据传输的稳定性和准确性。

6. 测试与测量设备：
   在射频测试仪器中，如频谱分析仪、信号发生器等，NE5531079A-A 可以作为核心元件，提供稳定的射频信号源和放大功能，帮助工程师进行精确的射频测试和调试。

总之，NE5531079A-A 凭借其优异的射频性能和可靠性，在各种射频应用中展现出强大的适应性和广泛的适用性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	FET RF LDMOS 460MHZ 30V 79A
产品分类	RF FET
品牌	CEL
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NE5531079A-A
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	79A
功率-输出	40dBm
包装	散装
噪声系数	-
增益	-
封装/外壳	4-SMD，扁平引线
晶体管类型	LDMOS
标准包装	1
电压-测试	7.5V
电压-额定	30V
电流-测试	200mA
频率	460MHz
额定电流	3A