ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 > NE3503M04-A
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
NE3503M04-A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3503M04-A由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3503M04-A价格参考。CELNE3503M04-A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04。您可以下载NE3503M04-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE3503M04-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE3503M04-A 是由 CEL(California Eastern Laboratories)生产的一款射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)和 MOSFET 类型。该型号主要应用于高频射频领域,以下是其典型应用场景: 1. 射频放大器 NE3503M04-A 适用于设计高性能的射频功率放大器,尤其是在无线通信系统中。它能够在高频段(如 UHF 和 SHF 频段)提供稳定的增益和输出功率,适合用于基站、无线电设备和卫星通信等场景。 2. 无线通信设备 该器件可用于移动通信设备中的射频前端模块,例如蜂窝电话、对讲机和其他无线传输设备。其高效率和低失真特性使其成为这些应用的理想选择。 3. 雷达系统 在雷达系统中,NE3503M04-A 可作为功率放大器的核心组件,用于发射高功率射频信号。其优异的线性和稳定性确保了雷达信号的准确性和可靠性。 4. 测试与测量设备 该型号也可用于射频测试仪器中,例如信号发生器、频谱分析仪和网络分析仪。它的高频率响应和低噪声性能能够满足精密测试的需求。 5. 工业、科学和医疗(ISM)应用 在 ISM 领域,NE3503M04-A 能够驱动高频能量转换设备,例如无线充电装置、微波加热设备和医疗成像系统。 6. 物联网(IoT)设备 随着物联网技术的发展,NE3503M04-A 还可以用于低功耗射频模块的设计,支持智能家居、可穿戴设备和远程传感器网络中的无线通信功能。 总结来说,NE3503M04-A 凭借其出色的射频性能和可靠性,广泛应用于需要高频率、高效率和低失真的电子设备中,特别是在通信、雷达、测试测量和 IoT 等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | AMP HJ-FET 12GHZ M04射频JFET晶体管 Low Noise HJ FET |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 70 mA |
Id-连续漏极电流 | 70 mA |
品牌 | CEL |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,CEL NE3503M04-A- |
数据手册 | |
产品型号 | NE3503M04-A |
Pd-PowerDissipation | 125 mW |
Pd-功率耗散 | 125 mW |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 4 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 4 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 3 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 3 V |
产品 | RF JFET |
产品种类 | 射频JFET晶体管 |
供应商器件封装 | M04 |
其它名称 | NE3503M04A |
功率-输出 | - |
功率耗散 | 125 mW |
包装 | 散装 |
商标 | CEL |
噪声系数 | 0.45 dB |
增益 | 12 dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | SOT-343F |
封装/箱体 | FTSMM-4 (M04) |
工厂包装数量 | 50 |
技术 | GaAs |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | HFET |
最大工作温度 | + 125 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 55 mS |
漏极连续电流 | 70 mA |
漏源电压VDS | 4 V |
电压-测试 | 2V |
电压-额定 | 4V |
电流-测试 | 10mA |
类型 | GaAs HEMT |
闸/源击穿电压 | - 3 V |
闸/源截止电压 | - 0.7 V |
频率 | 12 GHz |
额定电流 | 70mA |