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Datasheet下载- 型号： NE3503M04-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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NE3503M04-A产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3503M04-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3503M04-A价格参考。CELNE3503M04-A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04。您可以下载NE3503M04-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE3503M04-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | AMP HJ-FET 12GHZ M04射频JFET晶体管 Low Noise HJ FET |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 70 mA |
| Id-连续漏极电流 | 70 mA |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,CEL NE3503M04-A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NE3503M04-A |
| Pd-PowerDissipation | 125 mW |
| Pd-功率耗散 | 125 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 4 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 4 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 3 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 3 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | M04 |
| 其它名称 | NE3503M04A |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 125 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数 | 0.45 dB |
| 增益 | 12 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 封装/箱体 | FTSMM-4 (M04) |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | HFET |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 55 mS |
| 漏极连续电流 | 70 mA |
| 漏源电压VDS | 4 V |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 4V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 类型 | GaAs HEMT |
| 闸/源击穿电压 | - 3 V |
| 闸/源截止电压 | - 0.7 V |
| 频率 | 12 GHz |
| 额定电流 | 70mA |
