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Datasheet下载- 型号： NDT456P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDT456P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDT456P价格参考。Fairchild SemiconductorNDT456P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 7.5A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4。您可以下载NDT456P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDT456P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDT456P 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和控制场景。以下是 NDT456P 的主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：NDT456P 可用作同步整流器或开关元件，用于高效能的降压或升压 DC-DC 转换器中。 - 线性稳压器：作为负载开关或旁路元件，帮助实现更精确的电压调节。 - 电池充电管理：在便携式设备中，用于控制电池充电电流和保护电路。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、风扇或其他小型电机的启停和速度控制。 - H 桥电路：用于双向电机控制，支持正转和反转功能。 - PWM 调速：通过脉宽调制技术调节电机速度，提高能效。 3. 负载开关 - 在消费电子设备中，NDT456P 可用作高效的负载开关，用于动态开启或关闭外围设备（如显示屏、传感器等），以降低功耗。 - 提供快速的开关响应时间和低导通损耗。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻特性，检测异常电流并切断电路。 - 短路保护：在发生短路时迅速关断，防止损坏下游组件。 - 反极性保护：防止输入电源极性接反对系统造成损害。 5. 音频放大器 - 在 Class D 音频放大器中，NDT456P 可用作输出级开关元件，提供高效的能量传输和低失真性能。 6. 汽车电子 - LED 照明驱动：用于汽车内部或外部 LED 灯的亮度调节。 - 辅助设备控制：例如电动座椅调节、车窗升降器等应用中的功率控制。 总结 NDT456P 的典型应用场景包括但不限于电源管理、电机驱动、负载开关、保护电路以及音频放大器等领域。其低 Rds(on) 和紧凑封装使其非常适合需要高效率和小尺寸解决方案的设计。具体应用需根据实际电路需求选择合适的驱动条件和外围电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDT456P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDT456P |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 65 ns |
| 下降时间 | 70 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1440pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 其它名称 | NDT456PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 250.200 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A （Ta） |
| 系列 | NDT456 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | NDT456P_NL |
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