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  • 型号: NDS9952A
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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NDS9952A产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NDS9952A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDS9952A价格参考。Fairchild SemiconductorNDS9952A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 3.7A,2.9A 900mW 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NDS9952A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDS9952A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOICMOSFET SO-8 N&P-CH ENHANCE

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

3.7 A

Id-连续漏极电流

3.7 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDS9952A-

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产品型号

NDS9952A

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

80 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

80 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

13 ns, 21 ns

下降时间

5 ns, 8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

320pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 1A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

NDS9952ADKR

典型关闭延迟时间

21 ns, 21 ns

功率-最大值

900mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

187 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

6 S, 4 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.7A,2.9A

系列

NDS9952

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

零件号别名

NDS9952A_NL

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