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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDS356AP由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDS356AP价格参考。Fairchild SemiconductorNDS356AP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 1.1A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3。您可以下载NDS356AP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDS356AP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDS356AP 是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这款器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流承载能力,适用于多种电源管理和信号切换应用场景。 应用场景: 1. 电源管理: - DC-DC转换器:NDS356AP 可用于降压或升压型DC-DC转换器中的开关元件。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高转换效率。 - 线性稳压器:作为旁路开关或负载开关,用于保护电路免受过载或短路的影响。 - 电池管理系统:用于电池充放电控制,确保电池在安全范围内工作。 2. 电机驱动: - 小型直流电机控制:如玩具、风扇等设备中的电机驱动。NDS356AP 的快速开关特性使其能够高效地进行PWM(脉宽调制)控制,调节电机转速。 - 步进电机驱动:用于多相步进电机的驱动电路中,提供精确的电流控制。 3. 消费电子: - 手机和平板电脑:作为负载开关或电源开关,用于管理内部不同模块的供电状态,延长电池续航时间。 - USB充电器:用于USB端口的过流保护和电源切换,确保充电过程的安全性和稳定性。 4. 工业应用: - 传感器接口:用于传感器信号的放大和传输,特别是需要低噪声和高精度的应用场合。 - 继电器替代:由于其快速响应和长寿命特性,NDS356AP 可以替代传统的机械继电器,用于高频开关应用。 5. 汽车电子: - 车身控制系统:如车窗升降、座椅调节等系统中的电机驱动和电源管理。 - LED照明:用于LED灯的驱动电路,提供稳定的电流源,确保灯光亮度一致。 总之,NDS356AP 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各类需要高效电源管理和信号切换的场合,特别是在便携式设备、消费电子和工业控制领域表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3MOSFET P-Channel Logic |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.1 A |
Id-连续漏极电流 | 1.1 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDS356AP- |
数据手册 | |
产品型号 | NDS356AP |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 17 ns |
下降时间 | 17 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.4nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 1.3A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 3-SSOT |
其它名称 | NDS356APTR |
典型关闭延迟时间 | 53 ns |
功率-最大值 | 460mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 30 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.1A (Ta) |
系列 | NDS356 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | NDS356AP_NL |