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  • 型号: NDS356AP
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NDS356AP由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDS356AP价格参考。Fairchild SemiconductorNDS356AP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 1.1A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3。您可以下载NDS356AP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDS356AP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3MOSFET P-Channel Logic

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.1 A

Id-连续漏极电流

1.1 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDS356AP-

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产品型号

NDS356AP

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.5 W

Pd-功率耗散

500 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

200 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

200 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

17 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

280pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4.4nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 1.3A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

3-SSOT

其它名称

NDS356APTR

典型关闭延迟时间

53 ns

功率-最大值

460mW

包装

带卷 (TR)

单位重量

30 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.1A (Ta)

系列

NDS356

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

NDS356AP_NL

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