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Datasheet下载- 型号： NDS352AP
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDS352AP由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDS352AP价格参考￥0.54-￥0.62。Fairchild SemiconductorNDS352AP封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 900mA（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3。您可以下载NDS352AP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDS352AP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDS352AP 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。它具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点，适用于多种电力电子应用领域。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理：NDS352AP 常用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源管理系统中，作为开关元件来控制电压和电流的传输。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电池保护电路：在便携式设备如手机、平板电脑和笔记本电脑中，NDS352AP 可用于电池保护电路，防止过充、过放和短路等情况发生，确保电池的安全性和寿命。 3. 电机驱动：该 MOSFET 适合应用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，能够提供足够的电流驱动能力，并且具备良好的热性能，保证长时间稳定运行。 4. 负载开关：在需要频繁切换负载状态的场合，例如 USB 充电端口、LED 照明系统等，NDS352AP 可以作为负载开关使用，实现对不同负载的有效控制。 5. 通信设备：在路由器、交换机等网络通信设备中，NDS352AP 可用于信号隔离、电源切换等功能模块，确保数据传输的可靠性和稳定性。 6. 消费电子产品：从智能家居设备到个人护理产品，NDS352AP 的紧凑封装和高效性能使其成为许多消费类电子产品中的理想选择，帮助设计师优化电路设计并降低成本。 总之，NDS352AP 凭借其优异的电气特性，在众多低压、小电流的应用场景中表现出色，是工程师们进行电路设计时值得信赖的选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 900 mA |
| Id-连续漏极电流 | 900 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDS352AP- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDS352AP |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns, 16 ns |
| 下降时间 | 17 ns, 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 135pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 1A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | NDS352APTR |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA （Ta） |
| 系列 | NDS352 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | NDS352AP_NL |
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