【晶体管 - FET，MOSFET - 单_NDP6060】封装/厂家_NDP6060中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： NDP6060
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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NDP6060产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NDP6060由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDP6060价格参考￥10.13-￥10.13。Fairchild SemiconductorNDP6060封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 60V 48A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3。您可以下载NDP6060参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDP6060 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 60V 48A TO-220ABMOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	48 A
Id-连续漏极电流	48 A
品牌	Fairchild Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDP6060-
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产品型号	NDP6060
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	100 W
Pd-功率耗散	100 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	25 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	25 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	145 ns
下降时间	77 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	70nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	25 毫欧 @ 24A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
典型关闭延迟时间	28 ns
功率-最大值	100W
包装	管件
单位重量	1.800 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	25 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 65 C
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	48 A
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	48A （Tc）
系列	NDP6060
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	NDP6060_NL

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