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NDF10N60ZG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDF10N60ZG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDF10N60ZG价格参考。ON SemiconductorNDF10N60ZG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 39W(Tc) TO-220FP。您可以下载NDF10N60ZG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDF10N60ZG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FPMOSFET NFET T0220FP 600V 10A .65 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDF10N60ZG- |
数据手册 | |
产品型号 | NDF10N60ZG |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 36 W |
Pd-功率耗散 | 36 W |
Qg-GateCharge | 47 nC |
Qg-栅极电荷 | 47 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 650 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 650 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1645pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 750 毫欧 @ 5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | NDF10N60ZG-ND |
功率-最大值 | 39W |
功率耗散 | 36 W |
包装 | 管件 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 650 mOhms |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 47 nC |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 7.9 S |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
漏极连续电流 | 10 A |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |