【晶体管 - FET，MOSFET - 单_NDF06N60ZG】封装/厂家_NDF06N60ZG中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： NDF06N60ZG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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NDF06N60ZG产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NDF06N60ZG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDF06N60ZG价格参考￥3.41-￥3.41。ON SemiconductorNDF06N60ZG封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 600V 7.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP。您可以下载NDF06N60ZG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDF06N60ZG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FPMOSFET NFET TO220FP 600V 6A .98R
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	6 A
Id-连续漏极电流	6 A
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDF06N60ZG-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NDF06N60ZG
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	31 W
Pd-功率耗散	31 W
Qg-GateCharge	31 nC
Qg-栅极电荷	31 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	980 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	980 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1107pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	47nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.2 欧姆 @ 3A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220FP
其它名称	NDF06N60ZG-ND NDF06N60ZGOS
功率-最大值	35W
功率耗散	31 W
包装	管件
商标	ON Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	980 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	31 nC
标准包装	50
正向跨导-最小值	5 S
汲极/源极击穿电压	600 V
漏极连续电流	6 A
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	7.1A （Tc）