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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDF02N60ZG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDF02N60ZG价格参考¥1.58-¥1.69。ON SemiconductorNDF02N60ZG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NDF02N60ZG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDF02N60ZG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 4.8OHM TO220FPMOSFET 4.8 OHM 600V TO-220FP |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDF02N60ZG- |
数据手册 | |
产品型号 | NDF02N60ZG |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 24 W |
Pd-功率耗散 | 24 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 274pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.1nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.8 欧姆 @ 1A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | NDF02N60ZG-ND |
功率-最大值 | 24W |
包装 | 管件 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 1.7 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A (Tc) |