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  • 型号: NDF02N60ZG
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NDF02N60ZG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDF02N60ZG价格参考¥1.58-¥1.69。ON SemiconductorNDF02N60ZG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NDF02N60ZG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDF02N60ZG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V 4.8OHM TO220FPMOSFET 4.8 OHM 600V TO-220FP

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.4 A

Id-连续漏极电流

2.4 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDF02N60ZG-

数据手册

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产品型号

NDF02N60ZG

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

24 W

Pd-功率耗散

24 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

274pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10.1nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.8 欧姆 @ 1A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

NDF02N60ZG-ND
NDF02N60ZGOS

功率-最大值

24W

包装

管件

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

1.7 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.4A (Tc)

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