ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NDD04N60ZT4G
Datasheet下载- 型号： NDD04N60ZT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
NDD04N60ZT4G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDD04N60ZT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD04N60ZT4G价格参考。ON SemiconductorNDD04N60ZT4G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 600V 4.1A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK。您可以下载NDD04N60ZT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDD04N60ZT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAKMOSFET NFET DPAK 600V 4A 1.8R |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.1 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDD04N60ZT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDD04N60ZT4G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NDD04N60ZT4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 83W |
| 功率耗散 | 83 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.8 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 19 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 4.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Tc） |
| 配置 | Single |
