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NDD04N60Z-1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDD04N60Z-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD04N60Z-1G价格参考。ON SemiconductorNDD04N60Z-1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 4.1A(Tc) 83W(Tc) I-PAK。您可以下载NDD04N60Z-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDD04N60Z-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 4A IPAKMOSFET NFET IPAK 600V 4A 1.8R |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.1 A |
Id-连续漏极电流 | 4.1 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDD04N60Z-1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NDD04N60Z-1G |
Pd-PowerDissipation | 83 W |
Pd-功率耗散 | 83 W |
Qg-GateCharge | 19 nC |
Qg-栅极电荷 | 19 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 2A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | NDD04N60Z-1G-ND |
功率-最大值 | 83W |
功率耗散 | 83 W |
包装 | 管件 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 1.8 Ohms |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 19 nC |
标准包装 | 75 |
正向跨导-最小值 | 3.3 S |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
漏极连续电流 | 4.1 A |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.1A (Tc) |
配置 | Single |