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  • 型号: NDD04N60Z-1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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NDD04N60Z-1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NDD04N60Z-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD04N60Z-1G价格参考。ON SemiconductorNDD04N60Z-1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 4.1A(Tc) 83W(Tc) I-PAK。您可以下载NDD04N60Z-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDD04N60Z-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 4A IPAKMOSFET NFET IPAK 600V 4A 1.8R

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.1 A

Id-连续漏极电流

4.1 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDD04N60Z-1G-

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产品型号

NDD04N60Z-1G

Pd-PowerDissipation

83 W

Pd-功率耗散

83 W

Qg-GateCharge

19 nC

Qg-栅极电荷

19 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.5 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

640pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

29nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2 欧姆 @ 2A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

NDD04N60Z-1G-ND
NDD04N60Z-1GOS
NDD04N60Z1G

功率-最大值

83W

功率耗散

83 W

包装

管件

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

1.8 Ohms

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

19 nC

标准包装

75

正向跨导-最小值

3.3 S

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

4.1 A

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.1A (Tc)

配置

Single

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