Datasheet下载- 型号： NCV8405ASTT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NCV8405ASTT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCV8405ASTT1G价格参考￥5.65-￥5.65。ON SemiconductorNCV8405ASTT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NCV8405ASTT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NCV8405ASTT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4MOSFET SELF PROTECTED LOW SIDE F |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NCV8405ASTT1G- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NCV8405ASTT1G |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 51 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 42 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 14 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 14 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 典型关闭延迟时间 | 110 us |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 90 毫欧 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-电源 | - |
| 电流-峰值输出 | 9A |
| 电流-输出/通道 | 6A |
| 类型 | 低端 |
| 系列 | NCV8405A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |
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