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NCP5901DR2G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NCP5901DR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCP5901DR2G价格参考。ON SemiconductorNCP5901DR2G封装/规格:PMIC - 栅极驱动器, 半桥 Gate Driver IC 非反相 8-SOIC。您可以下载NCP5901DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NCP5901DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-SOIC门驱动器 VR12 MOSFET DRIVER |
产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,ON Semiconductor NCP5901DR2G- |
数据手册 | |
产品型号 | NCP5901DR2G |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 11 ns |
产品 | MOSFET Gate Drivers |
产品种类 | 门驱动器 |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | NCP5901DR2GOSDKR |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工作温度 | -10°C ~ 125°C |
工厂包装数量 | 2500 |
延迟时间 | 30ns |
最大关闭延迟时间 | 30 ns |
最大工作温度 | + 125 C |
最大开启延迟时间 | 30 ns |
最小工作温度 | - 10 C |
标准包装 | 1 |
电压-电源 | 4.5 V ~ 13.2 V |
电流-峰值 | - |
电源电压-最大 | 13.2 V |
电源电压-最小 | 4.5 V |
电源电流 | 12.2 mA |
类型 | High Side/Low Side |
系列 | NCP5901 |
输入类型 | PWM |
输出数 | 2 |
输出电压 | 35 V |
配置 | 高端和低端,同步 |
配置数 | 1 |
高压侧电压-最大值(自举) | 35V |