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  • 型号: NCP5181DR2G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NCP5181DR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCP5181DR2G价格参考。ON SemiconductorNCP5181DR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NCP5181DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NCP5181DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC门驱动器 HV MOSFET DRIVER

产品分类

PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

电源管理 IC,门驱动器,ON Semiconductor NCP5181DR2G-

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产品型号

NCP5181DR2G

上升时间

60 ns

下降时间

40 ns

产品种类

Drivers- MOSFET/IGBT

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

NCP5181DR2GOSCT

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工作温度

-40°C ~ 125°C

工厂包装数量

2500

延迟时间

100ns

最大功率耗散

178 mW

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

激励器数量

2

电压-电源

10 V ~ 20 V

电流-峰值

1.4A

电源电压-最小

10 V

电源电流

6.5 mA

类型

High Side/Low Side

系列

NCP5181

输入类型

非反相

输出数

2

输出端数量

2

配置

Non-Inverting

配置数

1

高压侧电压-最大值(自举)

600V

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