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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MXSMLJ6.0AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MXSMLJ6.0AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXSMLJ6.0AE3价格参考。MICRO-SEMIMXSMLJ6.0AE3封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载MXSMLJ6.0AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MXSMLJ6.0AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology的一部分）生产的MXSMLJ6.0AE3是一款TVS（瞬态电压抑制器）二极管。该器件主要用于保护电子电路免受过电压事件的影响，例如静电放电（ESD）、雷击感应浪涌和开关瞬变等。 应用场景： 1. 消费电子产品： - 用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备的接口保护。 - 保护USB端口、HDMI端口、音频插孔等外部连接器免受ESD和浪涌损害。 2. 通信设备： - 在路由器、交换机、基站和其他网络设备中，保护数据线和信号线。 - 防止因雷击或其他电气干扰引起的瞬态电压损坏敏感元件。 3. 汽车电子系统： - 保护车载信息娱乐系统、导航系统、传感器和控制模块。 - 抵御由于汽车点火系统或继电器切换产生的瞬态电压。 4. 工业自动化： - 在工业控制器、PLC（可编程逻辑控制器）和传感器接口中提供过压保护。 - 确保工厂自动化设备在恶劣环境下的可靠运行。 5. 医疗设备： - 保护患者监护仪、超声波设备和其他关键医疗仪器的输入/输出端口。 - 提高设备的安全性和稳定性，避免因瞬态电压导致的误操作或故障。 6. 电源管理： - 用于AC-DC适配器、电池充电器和电源模块中的过压保护。 - 防止因电网波动或负载突变引发的损坏。 特性与优势： - 低电容设计：适合高速数据线路保护。 - 高浪涌能力：能够承受多次重复的瞬态电压冲击。 - 快速响应时间：有效抑制瞬态电压，保护后级电路。 - 小封装尺寸：易于集成到紧凑型设计中。 综上所述，MXSMLJ6.0AE3适用于各种需要高可靠性保护的电子设备，特别是在易受瞬态电压威胁的应用环境中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10563-msml-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MXSMLJ6.0AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-214AB |
| 其它名称 | 1086-15068 |
| 功率-峰值脉冲 | 3000W （3kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.67V |
| 电压-反向关态（典型值） | 6V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 10.3V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 291.3A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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