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  • 型号: MXSMBJ8.5CAE3
  • 制造商: MICRO-SEMI
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MXSMBJ8.5CAE3由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXSMBJ8.5CAE3价格参考。MICRO-SEMIMXSMBJ8.5CAE3封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载MXSMBJ8.5CAE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MXSMBJ8.5CAE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology的一部分)生产的MXSMBJ8.5CAE3是一款TVS(瞬态电压抑制器)二极管,属于保护器件。其主要应用场景如下:

 1. 过电压保护
   - 用途:用于保护电子设备免受瞬态电压(如雷击、电感负载切换或ESD静电放电)的影响。
   - 场景:适用于通信设备、工业控制、消费电子产品和汽车电子中的电源线和信号线保护。

 2. ESD防护
   - 用途:抑制静电放电对敏感电路的损害。
   - 场景:USB接口、HDMI接口、音频/视频输入输出端口等数据线的保护。

 3. 浪涌保护
   - 用途:吸收因雷击或其他原因引起的电压浪涌。
   - 场景:电力供应系统、网络设备、家用电器的电源输入端。

 4. 信号线路保护
   - 用途:保护低电压信号线路免受瞬态干扰。
   - 场景:传感器接口、无线通信模块、I/O端口等。

 5. 汽车电子应用
   - 用途:在汽车环境中,抑制点火系统、电机启动等产生的瞬态电压。
   - 场景:车载信息娱乐系统、CAN总线、LIN总线和其他汽车电子控制系统。

 6. 工业自动化
   - 用途:保护工业设备中的敏感元件,防止因电磁干扰或电压波动导致的损坏。
   - 场景:PLC控制器、传感器、伺服驱动器等。

 特性概述
- 反向击穿电压:8.5V(典型值),适合低电压电路保护。
- 峰值脉冲功率:高能量吸收能力,能有效应对瞬态事件。
- 快速响应时间:纳秒级响应速度,及时抑制瞬态电压。

这款TVS二极管广泛应用于需要可靠保护的场合,确保电子设备在恶劣环境下的稳定运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AA

产品分类

TVS - 二极管

品牌

Microsemi HI-REL [MIL]

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10560-msmb-pdf

产品图片

产品型号

MXSMBJ8.5CAE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同频率时的电容

-

供应商器件封装

SMBJ(DO-214AA)

其它名称

1086-14174

功率-峰值脉冲

600W

包装

散装

单向通道

-

双向通道

1

安装类型

表面贴装

封装/外壳

DO-214AA,SMB

工作温度

-65°C ~ 150°C

应用

通用

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

9.44V

电压-反向关态(典型值)

8.5V

电压-箝位(最大值)@Ipp

14.4V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

41.7A

电源线路保护

类型

齐纳

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