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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MXLSMLJ6.0A
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MXLSMLJ6.0A由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXLSMLJ6.0A价格参考。MICRO-SEMIMXLSMLJ6.0A封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载MXLSMLJ6.0A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MXLSMLJ6.0A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology的一部分）生产的MXLSMLJ6.0A是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，属于低电容ESD保护二极管系列。其主要应用场景包括： 1. 高速数据线保护：该器件具有低电容特性（典型值为3 pF），非常适合用于高速接口的保护，如USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、以太网等。它能够有效抑制静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态电压脉冲，同时保持信号完整性。 2. 通信设备：在手机、平板电脑、笔记本电脑和其他消费类电子产品中，MXLSMLJ6.0A可用于保护射频（RF）前端、天线开关和收发器免受瞬态电压的影响。 3. 工业控制：在工业自动化系统中，该TVS二极管可用于保护传感器接口、现场总线和通信模块，防止因雷击或其他电磁干扰引起的电压浪涌。 4. 汽车电子：在汽车应用中，MXLSMLJ6.0A可以保护车载信息娱乐系统、导航系统、摄像头模块和CAN/LIN总线免受恶劣环境下的瞬态电压冲击。 5. 医疗设备：对于需要高可靠性的医疗设备，如便携式监护仪、超声波设备等，该器件可提供关键的电路保护功能，确保设备在复杂电磁环境中正常运行。 6. 存储设备：在SSD、硬盘驱动器和其他存储介质中，该TVS二极管可用于保护数据接口，避免因瞬态事件导致的数据丢失或硬件损坏。 MXLSMLJ6.0A的工作电压为6V，支持单向和双向配置，能够承受高达±15kV（空气放电）和±8kV（接触放电）的ESD冲击。其紧凑的封装形式（如SOD-323）使其适合空间受限的设计，同时具备优异的响应速度，能够在纳秒级时间内钳位瞬态电压，从而保护敏感的下游电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10563-msml-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MXLSMLJ6.0A |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-214AB |
| 其它名称 | 1086-12623 |
| 功率-峰值脉冲 | 3000W （3kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.67V |
| 电压-反向关态（典型值） | 6V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 10.3V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 291.3A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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