Datasheet下载- 型号： MXLSMBJ6.0AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MXLSMBJ6.0AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXLSMBJ6.0AE3价格参考。MICRO-SEMIMXLSMBJ6.0AE3封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载MXLSMBJ6.0AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MXLSMBJ6.0AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology的一部分）的MXLSMBJ6.0AE3是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，主要用于保护电子设备免受瞬态过电压事件的影响。这类器件广泛应用于各种工业、通信、消费电子和汽车领域，以确保电路在面对电涌、静电放电（ESD）、雷击等情况下仍能正常工作。 具体应用场景包括： 1. 电源线保护：用于交流或直流电源输入端，防止因电网波动或外部干扰引起的过电压损坏内部电路。 2. 信号线防护：适用于数据通信接口如USB、RS-232、以太网等，提供对快速瞬变脉冲群（EFT）及ESD的有效防护。 3. 传感器接口保护：保障传感器与主控单元之间的连接稳定，避免外界环境因素导致的误触发或损坏。 4. 无线通信模块：特别是在物联网（IoT）设备中，保护射频前端免受雷击或其他形式的电磁干扰影响。 5. 汽车电子系统：如车载充电器、导航系统、娱乐系统等，确保这些敏感组件在复杂电磁环境下可靠运行。 6. 消费电子产品：例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备，增强其对抗日常使用中可能遇到的小型静电释放能力。 该型号的具体参数表明它具有较低的箝位电压（Clamping Voltage），能够在发生过压时迅速响应并将电压限制在一个安全范围内；同时具备较高的峰值脉冲功率耗散能力，足以应对短时间内出现的大电流冲击。此外，其封装形式适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和紧凑设计。总之，MXLSMBJ6.0AE3是保障现代电子设备稳健性和耐用性的关键元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AA |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10560-msmb-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MXLSMBJ6.0AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SMBJ（DO-214AA） |
| 其它名称 | 1086-11688 |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.67V |
| 电压-反向关态（典型值） | 6V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 10.3V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 58.3A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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