Datasheet下载- 型号： MUN5335DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5335DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5335DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5335DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5335DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5335DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5335DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管 (BJT) 阵列，属于预偏置类型。该器件具有多个晶体管单元，集成在一个封装内，并预先设置了偏置条件，以简化设计和提高性能。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - MUN5335DW1T1G 可用于音频、射频或其他低功率信号的放大。由于其预偏置特性，能够确保稳定的增益和线性输出，适用于小型信号处理电路。 2. 开关电路 - 在需要快速切换的场景中，如继电器驱动、LED 控制或小型电机控制，该器件可以作为高效的开关元件使用。预偏置功能有助于减少外部元件的需求，降低设计复杂度。 3. 传感器接口 - 在传感器信号调理电路中，这款 BJT 阵列可以用作缓冲器或放大器，将微弱的传感器信号放大到适合后续处理的电平。 4. 电源管理 - 在一些低功耗系统中，该器件可用于简单的电压调节或电流限制电路，帮助保护负载设备免受过流或过压的影响。 5. 通信与网络设备 - 该型号可能被用于通信模块中的信号调制和解调电路，特别是在需要高频率响应和稳定性能的应用中。 6. 消费电子 - 在家用电器、遥控器、玩具等消费电子产品中，MUN5335DW1T1G 可用于控制小功率负载，如指示灯、蜂鸣器或小型风扇。 7. 工业自动化 - 在工业控制系统中，该器件可作为驱动器的一部分，用于控制电磁阀、步进电机或其他执行机构的小型驱动电路。 特点总结： - 预偏置设计：简化了外部偏置电路的设计，减少了元件数量。 - 高可靠性：ON Semiconductor 的产品通常具有良好的一致性和稳定性，适合批量生产。 - 紧凑封装：适合对空间要求严格的便携式或小型化设备。 总之，MUN5335DW1T1G 的应用场景广泛，特别适合需要多通道、低功耗和高性能的电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V NPN & PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5335DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5335DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MUN5335DW1T1GOSDKR |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 187 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 at 5 mA at 10 V |
| 系列 | MUN5335DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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