ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > MUN5332DW1T1G
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5332DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5332DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5332DW1T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MUN5332DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5332DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MUN5332DW1T1G是一款双极晶体管(BJT)阵列,预偏置设计。这款器件主要用于需要高精度电流控制和信号放大的应用场景,尤其适合那些对温度稳定性、低噪声和快速响应有较高要求的电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:MUN5332DW1T1G可以用于电源管理电路中,作为开关或线性稳压器的关键元件。它能够提供稳定的电流输出,确保电源系统的高效运行,同时减少功耗和发热。 2. 音频放大器:在音频设备中,该器件可用于前置放大器或功率放大器的驱动级。预偏置特性使得它能够在较宽的工作温度范围内保持良好的线性度和低失真性能,从而提升音质表现。 3. 工业自动化:在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口等,MUN5332DW1T1G可用于信号调理和驱动负载。其优异的温度特性和可靠性保证了系统在恶劣环境下的稳定工作。 4. 通信设备:对于无线通信基站、路由器等设备,该晶体管阵列可用于射频前端模块中的低噪声放大器(LNA)或其他关键路径上的增益控制部分,以确保信号完整性并降低干扰。 5. 消费电子:在智能手机、平板电脑等便携式电子产品中,MUN5332DW1T1G可用于摄像头闪光灯驱动、振动马达控制等功能模块,提供高效的电流驱动能力。 6. 医疗仪器:在医疗设备如心电图机、超声波诊断仪等中,该器件可用于信号采集与处理环节,确保测量结果的准确性及实时性。 总之,MUN5332DW1T1G凭借其出色的电气参数和预偏置设计,在多种领域有着广泛的应用前景,特别是在需要精确电流控制和高性能信号处理的地方表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MUN5332DW1T1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 15 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | - |