【晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置_MUN5332DW1T1】封装/厂家_MUN5332DW1T1中文资料_价格

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型号： MUN5332DW1T1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5332DW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5332DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5332DW1T1封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MUN5332DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5332DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN5332DW1T1是由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置器件。该型号属于双极晶体管阵列，集成了预设偏置电路，适用于需要高精度、低功耗和稳定性能的应用场景。

 应用场景：

1. 电源管理：
   MUN5332DW1T1广泛应用于电源管理电路中，特别是在需要精确控制电流和电压的场合。例如，在开关电源、线性稳压器和电池充电电路中，该器件可以提供稳定的电流输出，确保系统的高效运行。

2. 信号放大与处理：
   由于其预偏置特性，MUN5332DW1T1在模拟信号放大和处理方面表现出色。它能够提供高增益和低噪声，适合用于音频放大器、传感器信号调理等应用，确保信号的准确性和完整性。

3. 通信设备：
   在通信系统中，MUN5332DW1T1可用于射频（RF）前端模块、收发器和其他关键组件。其低功耗和高可靠性使得它在无线通信设备、基站和手持终端中具有广泛应用。

4. 工业自动化：
   该器件在工业控制系统中也发挥着重要作用。例如，在可编程逻辑控制器（PLC）、电机驱动器和智能传感器中，MUN5332DW1T1可以实现快速响应和精确控制，提高系统的整体性能和稳定性。

5. 消费电子产品：
   在消费电子领域，如智能手机、平板电脑和智能家居设备中，MUN5332DW1T1用于优化电源管理和信号处理，提升产品的能效和用户体验。

6. 汽车电子：
   汽车行业中，该器件常用于车身控制模块、发动机管理系统和车载娱乐系统。其出色的温度特性和抗干扰能力使其能够在严苛的汽车环境中可靠工作。

总之，MUN5332DW1T1凭借其预偏置设计和高性能特点，适用于多种应用场景，尤其是在对精度、稳定性和功耗有较高要求的领域中表现尤为突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MUN5332DW1T1
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 1mA，10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	15 @ 5mA，10V
供应商器件封装	SC-88/SC70-6/SOT-363
功率-最大值	250mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
晶体管类型	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	4.7k
电阻器-基底(R1)(Ω)	4.7k
频率-跃迁	-