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MUN5312DW1T1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5312DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5312DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5312DW1T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MUN5312DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5312DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MUN5312DW1T1G是一款双极晶体管(BJT)阵列,具有预偏置特性。这种器件广泛应用于需要高性能、高可靠性和低功耗的电子系统中,特别是在通信、消费电子、工业控制和汽车电子等领域。 主要应用场景: 1. 通信设备: - 基站和无线模块:在基站和无线通信模块中,MUN5312DW1T1G可以用于信号放大、调制解调电路以及功率控制等关键功能。其预偏置特性确保了稳定的性能,减少了调试时间。 - 数据传输接口:该器件也适用于高速数据传输接口中的信号调理和驱动,保证信号的完整性和可靠性。 2. 消费电子产品: - 音频设备:如音响、耳机放大器等,MUN5312DW1T1G可用于音频信号的放大和处理,提供高质量的声音输出。 - 智能家居设备:在智能音箱、智能灯泡等产品中,该晶体管阵列可以用于电源管理、传感器信号处理等任务,提高产品的响应速度和能效。 3. 工业控制: - 自动化控制系统:在工厂自动化、机器人控制等场景中,MUN5312DW1T1G可用于驱动电机、继电器等执行元件,实现精确的控制和高效的能源利用。 - 传感器接口:用于工业传感器的数据采集和信号调理,确保传感器信号的准确性和稳定性。 4. 汽车电子: - 车载娱乐系统:如车用音响、导航系统等,该器件可以用于音频信号处理和显示驱动,提升用户体验。 - 安全系统:如防抱死制动系统(ABS)、电子稳定程序(ESP)等,MUN5312DW1T1G可以在这些系统中发挥重要作用,确保系统的稳定性和可靠性。 5. 医疗设备: - 便携式医疗仪器:如心电图机、血糖仪等,MUN5312DW1T1G可用于信号放大和处理,确保测量结果的准确性。 - 监护设备:在医院监护设备中,该器件可以用于生命体征监测信号的处理,保障患者的安全。 总之,MUN5312DW1T1G凭借其优异的性能和预偏置特性,在多个领域有着广泛的应用前景,能够满足不同应用场景对高性能和高可靠性的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V NPN & PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5312DW1T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MUN5312DW1T1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,10V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
其它名称 | MUN5312DW1T1G-ND |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 22 kOhms |
功率-最大值 | 250mW |
功率耗散 | 187 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SC-88-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 at 5 mA at 10 V |
系列 | MUN5312DW1 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |