【晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置_MUN5311DW1T2G】封装/厂家_MUN5311DW1T2G中文资料_价格

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型号： MUN5311DW1T2G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5311DW1T2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5311DW1T2G价格参考￥0.17-￥0.17。ON SemiconductorMUN5311DW1T2G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MUN5311DW1T2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5311DW1T2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN5311DW1T2G 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的双极晶体管 (BJT) 阵列，属于预偏置类型。这种器件在多个应用场景中具有广泛的应用，尤其是在需要高精度电流控制和信号放大的电路设计中。

 应用场景：

1. 电源管理：
   - MUN5311DW1T2G 可用于各种电源管理电路中，如线性稳压器、开关电源控制器等。它能够提供稳定的电流输出，确保电源系统的高效性和稳定性。
   
2. 音频放大器：
   - 在音频设备中，该器件可以作为前置放大器或功率放大器的组成部分，提供高保真的音频信号放大，同时保持低失真和低噪声性能。

3. 传感器接口：
   - 该晶体管阵列可用于传感器信号调理电路中，将微弱的传感器信号进行放大和处理，适用于温度传感器、压力传感器等精密测量系统。

4. 工业自动化：
   - 在工业控制系统中，MUN5311DW1T2G 可用于驱动继电器、电机或其他执行机构，实现精确的电流控制和快速响应。

5. 通信设备：
   - 在通信领域，该器件可以用于射频 (RF) 前端模块中的信号放大和调制解调电路，确保信号的稳定传输和接收。

6. 消费电子：
   - 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，MUN5311DW1T2G 可用于电池管理系统、显示屏背光控制等，提高设备的能效和用户体验。

7. 汽车电子：
   - 汽车行业中，该器件可用于车载娱乐系统、车身控制模块 (BCM) 和高级驾驶辅助系统 (ADAS) 中，提供可靠的电流控制和信号处理功能。

8. 医疗设备：
   - 在医疗仪器中，如心电图机、超声波设备等，MUN5311DW1T2G 可用于信号采集和处理电路，确保数据的准确性和可靠性。

总之，MUN5311DW1T2G 凭借其高性能和稳定性，在多种电子设备和系统中发挥着重要作用，特别适合需要精确电流控制和信号放大的应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MUN5311DW1T2G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 300µA， 10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	35 @ 5mA，10V
供应商器件封装	SC-88/SC70-6/SOT-363
功率-最大值	250mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
晶体管类型	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	10k
电阻器-基底(R1)(Ω)	10k
频率-跃迁	-