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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5236DW1T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5236DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5236DW1T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5236DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5236DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5236DW1T1 是 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管 (BJT) 阵列,属于预偏置类型。其主要应用场景包括以下方面: 1. 信号放大 - MUN5236DW1T1 的 BJT 阵列设计使其非常适合用于信号放大电路中。它能够处理低功率信号的放大,适用于音频、射频或传感器信号的前置放大。 - 其预偏置特性简化了电路设计,无需额外设置偏置电压,特别适合需要快速部署的小型放大器。 2. 开关应用 - 该器件可以作为模拟开关使用,适用于低功耗、小信号切换场景。例如,在多路复用器或解复用器中,用于选择不同的输入或输出通道。 - 它的低饱和电压和高增益特性使其在高速开关应用中表现优异。 3. 传感器接口 - 在传感器信号调理电路中,MUN5236DW1T1 可用于将微弱的传感器信号放大到后续处理电路可接受的范围。例如,压力传感器、温度传感器或光电二极管的信号调理。 - 预偏置功能确保了稳定的偏置点,从而提高了信号处理的可靠性。 4. 通信设备 - 该型号适合用于低功率射频 (RF) 放大器,特别是在无线通信模块、蓝牙设备或 Zigbee 网络中。其高频性能和低噪声特性使其成为理想选择。 - 可用于调制解调器、收发器等设备中的信号增强和处理。 5. 消费电子 - 在便携式设备(如耳机放大器、智能手表或健身追踪器)中,MUN5236DW1T1 可以提供高效的小信号放大,同时保持低功耗。 - 其小型化封装(如 WLCSP 或 SOT 封装)非常适合对空间要求严格的消费电子产品。 6. 工业控制 - 在工业自动化系统中,该器件可用于驱动小型执行器或继电器,或者作为隔离放大器的一部分,用于信号传输和保护。 - 预偏置特性有助于减少复杂性,提高系统的稳定性和可靠性。 总结 MUN5236DW1T1 的主要应用场景集中在低功率信号放大、开关控制、传感器信号调理以及通信设备中。其预偏置设计简化了电路设计流程,而高性能参数(如低噪声、高增益)则确保了其在多种应用中的卓越表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MUN5236DW1T1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
其它名称 | MUN5236DW1T1OS |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
频率-跃迁 | - |