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  • 型号: MUN5233DW1T1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5233DW1T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5233DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5233DW1T1封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MUN5233DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5233DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的MUN5233DW1T1是一款双极型晶体管(BJT)阵列,属于预偏置类型。这类器件广泛应用于需要精确控制电流和电压的电路中,以下是一些典型的应用场景:

 1. 信号放大
   - MUN5233DW1T1可用于音频信号放大器中,提供高增益和低失真的信号放大功能。其预偏置特性使得在设计音频电路时更容易实现稳定的直流工作点。
   - 应用于消费电子设备(如耳机放大器、音响系统)或工业设备中的信号处理模块。

 2. 模拟开关与多路复用器
   - 在需要选择性地切换信号路径的电路中,该晶体管阵列可以用作模拟开关或多路复用器的核心元件。例如,在数据采集系统中选择不同的输入通道。

 3. 电源管理
   - 用于低压差线性稳压器(LDO)或可调电源电路中,作为电流调节和负载驱动的关键组件。
   - 实现高效的电流源或电流汇,适用于LED驱动、传感器供电等场合。

 4. 保护电路
   - 在过流保护、短路保护或热关断电路中,利用其快速响应特性和稳定性,确保系统安全运行。
   - 常见于电池管理系统(BMS)或其他敏感电子设备的防护设计。

 5. 接口电路
   - 在通信接口(如RS-232、RS-485)或工业总线系统中,用作电平转换或信号隔离的缓冲器。
   - 提供增强的抗干扰能力和更高的可靠性。

 6. 测试与测量设备
   - 在精密仪器中,用于构建高精度的电流镜或参考电压源,以保证测量结果的准确性。
   - 例如:数字万用表、示波器中的前置放大器部分。

 7. 电机控制
   - 在小型直流电机驱动电路中,作为功率级的一部分,执行速度控制或方向切换功能。
   - 特别适合低功耗、紧凑型应用,如玩具、家用电器等。

总之,MUN5233DW1T1凭借其高性能、稳定性和易于集成的特点,非常适合各种需要精确电流控制和高效信号处理的电子应用领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MUN5233DW1T1

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,10V

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

功率-最大值

250mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

频率-跃迁

-

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