ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > MUN5216DW1T1G
Datasheet下载- 型号： MUN5216DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5216DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5216DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5216DW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MUN5216DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5216DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5216DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管 (BJT) 阵列，属于预偏置类型。这种器件通常用于需要高精度、低噪声和高性能的电路设计中。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - MUN5216DW1T1G 的预偏置特性使其非常适合用于信号放大应用，例如音频前置放大器或传感器信号放大器。 - 其低噪声性能有助于在处理微弱信号时保持高保真度。 2. 射频 (RF) 和无线通信 - 在射频电路中，该器件可用于功率放大器、混频器或振荡器的设计。 - 预偏置功能简化了电路设计，减少了外部元件的需求，从而提高了系统的稳定性和可靠性。 3. 运算放大器和比较器 - 该 BJT 阵列可以作为运算放大器的核心组件，用于构建高增益放大器或精密比较器。 - 其匹配的特性确保了多个晶体管之间的性能一致性，从而降低了失调电压和电流。 4. 模拟开关和多路复用器 - 在模拟开关或多路复用器中，MUN5216DW1T1G 可以提供快速切换和低导通电阻的特性。 - 这种应用常见于数据采集系统或多通道信号处理设备中。 5. 电源管理 - 该器件可用于线性稳压器或低压差 (LDO) 稳压器的设计，提供稳定的输出电压。 - 其低功耗特性和高效率适合便携式电子设备的电源管理系统。 6. 测试与测量设备 - 在精密仪器中，如示波器、信号发生器或数字万用表，MUN5216DW1T1G 的高精度和稳定性是关键优势。 - 它能够处理复杂信号并保持高分辨率。 7. 工业控制 - 在工业自动化领域，该器件可用于驱动小功率电机、继电器或其他执行器。 - 其坚固的设计和宽温度范围适应性使其适合恶劣环境下的应用。 总结 MUN5216DW1T1G 的主要优势在于其预偏置设计、高精度和低噪声性能，适用于需要高性能和可靠性的各种电子系统。无论是消费电子、通信设备还是工业控制领域，这款器件都能提供卓越的表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5216DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5216DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar- Bias Resistor |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MUN5216DW1T1G-ND |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 187 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 at 5 mA at 10 V |
| 系列 | MUN5216DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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