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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5133DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5133DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5133DW1T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MUN5133DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5133DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5133DW1T1G 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)制造的双极晶体管 (BJT) 阵列,属于预偏置类型。该器件具有多个内部匹配的 BJT,广泛应用于需要高精度、低噪声和稳定性能的电路中。以下是其主要应用场景: 1. 模拟信号处理 MUN5133DW1T1G 的预偏置特性使其非常适合用于模拟信号处理电路,如放大器、滤波器和混频器。它能够提供稳定的增益和低噪声性能,确保信号在传输过程中不失真。由于其内部晶体管的匹配度较高,可以实现更精确的信号处理。 2. 音频设备 在音频设备中,MUN5133DW1T1G 可以用于前置放大器、功率放大器等关键部件。其低噪声特性和高线性度有助于提高音频质量,减少失真。此外,预偏置功能使得设计者无需额外添加复杂的偏置电路,简化了设计流程。 3. 传感器接口 该器件常用于传感器接口电路,特别是那些需要高精度测量的应用。例如,在温度传感器、压力传感器或光电传感器中,MUN5133DW1T1G 可以作为信号调理电路的一部分,将微弱的传感器输出信号放大并转换为适合后续处理的电平。 4. 电源管理 在电源管理系统中,MUN5133DW1T1G 可用于稳压器、电流源和电压检测电路。其低功耗和高稳定性使得它能够在电池供电设备中发挥重要作用,延长电池寿命的同时保持系统的可靠性。 5. 通信系统 在通信系统中,MUN5133DW1T1G 可用于射频 (RF) 前端模块中的低噪声放大器 (LNA) 和混频器。其宽频带特性和低噪声系数有助于提高通信链路的质量,特别是在无线通信和卫星通信领域。 6. 工业自动化 在工业自动化领域,MUN5133DW1T1G 可用于各种控制电路和传感器接口。例如,在电机驱动器、伺服控制系统和PLC(可编程逻辑控制器)中,它可以作为信号调理和放大元件,确保系统的响应速度和精度。 总之,MUN5133DW1T1G 凭借其优异的电气特性、预偏置设计和广泛的适用性,成为许多高性能电子设备中的关键组件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MUN5133DW1T1G |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | - |