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型号： MUN5133DW1T1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5133DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5133DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5133DW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MUN5133DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5133DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN5133DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理和信号切换应用。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
MUN5133DW1T1G 常用于电源转换电路中，如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）等。由于其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 2.7mΩ），能够有效减少功率损耗，提高电源效率。它还适合用于电池管理系统（BMS），帮助控制电池充放电过程中的电流流动，确保电池安全运行。

 2. 电机驱动
在电机驱动应用中，MUN5133DW1T1G 可以作为功率开关，用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低导通电阻有助于降低发热，延长设备寿命。常见的应用场景包括无刷直流电机（BLDC）、步进电机等。

 3. 负载开关
该器件可以用作负载开关，控制电路中不同部分的供电状态。通过外部控制信号，MUN5133DW1T1G 可以快速接通或断开负载与电源之间的连接，适用于便携式电子设备、智能家居产品等，实现节能和保护功能。

 4. 过流保护
MUN5133DW1T1G 还可用于过流保护电路。当检测到异常电流时，可以通过关断 MOSFET 来切断电流路径，防止电路损坏。这种保护机制广泛应用于工业控制系统、汽车电子等领域。

 5. 通信设备
在通信设备中，MUN5133DW1T1G 可用于信号切换和隔离，确保不同信号源之间的可靠传输。其快速响应时间使得它在高频通信系统中表现出色，适用于路由器、交换机等网络设备。

 6. 消费电子产品
该器件也广泛应用于消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它可以用于 USB 接口的电源管理，确保充电过程的安全性和稳定性。

总之，MUN5133DW1T1G 凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子设备中的关键位置，特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MUN5133DW1T1G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 1mA，10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	80 @ 5mA，10V
供应商器件封装	SC-88/SC70-6/SOT-363
功率-最大值	250mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
晶体管类型	2 个 PNP 预偏压式（双）
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	47k
电阻器-基底(R1)(Ω)	4.7k
频率-跃迁	-