Datasheet下载- 型号： MUN5132DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5132DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5132DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5132DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5132DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5132DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5132DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管 (BJT) 阵列，属于预偏置类型。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 信号切换与放大 - MUN5132DW1T1G 可用于低功率信号的切换和放大。由于其预偏置特性，能够简化电路设计，特别适合音频、视频或通信系统中的小信号处理。 - 例如，在音频设备中，可以用来放大弱信号或将信号从一个通道切换到另一个通道。 2. 模拟开关 - 在需要多路复用或多路解复用的电路中，该器件可以用作模拟开关。其低导通电阻和快速响应时间使其非常适合数据采集系统、测试设备和传感器接口。 3. 电源管理 - 该型号可用于简单的电源管理任务，如负载开关、电流限制或电压调节。它能够通过预设的偏置条件快速稳定工作点，提高效率并减少功耗。 4. 驱动应用 - MUN5132DW1T1G 能够驱动小型负载，例如 LED 指示灯、继电器线圈或小型电机。其阵列结构允许同时控制多个负载，适用于消费电子、家用电器或工业控制系统。 5. 保护电路 - 在过流保护或短路保护电路中，该 BJT 阵列可以作为关键元件之一，用于检测异常电流并触发保护机制。 6. 通信设备 - 该型号适用于低频通信设备中的信号调制和解调，尤其是在需要高可靠性和稳定性的应用场景中。 总结 MUN5132DW1T1G 的主要优势在于其预偏置设计，这使得它在复杂电路中易于使用，并且具有良好的稳定性和一致性。它广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域，尤其适合需要多路信号处理或简单驱动功能的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BRT PNP 100MA 50V SC88 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MUN5132DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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