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型号： MUN2211JT1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2211JT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2211JT1价格参考。ON SemiconductorMUN2211JT1封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59。您可以下载MUN2211JT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2211JT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN2211JT1是ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款预偏置双极晶体管（BJT），主要用于模拟和数字电路中的信号放大与开关应用。该器件具有低饱和电压、高电流增益和快速开关特性，适用于多种电子设备。

 应用场景

1. 电源管理：
   - MUN2211JT1可用于电源管理电路中，作为开关元件或线性调节器的一部分。其低饱和电压有助于提高效率，减少功耗，特别适合电池供电的便携式设备。
   
2. 电机驱动：
   - 在小型电机驱动电路中，该晶体管可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性能够有效减少电磁干扰（EMI），并提供稳定的电机控制。

3. 音频放大：
   - 由于其低噪声特性和高增益，MUN2211JT1也可用于音频放大器中，特别是在前置放大器或功率放大器的驱动级。它能够提供干净的信号放大，确保音频质量。

4. 通信设备：
   - 在通信设备中，如无线发射器和接收器，MUN2211JT1可用于信号调制和解调电路，实现高频信号的处理。其宽频带和低失真特性使其在这些应用中表现出色。

5. 传感器接口：
   - 对于传感器接口电路，该晶体管可以用作信号调理元件，将微弱的传感器输出信号放大到适合后续处理的电平。例如，在温度、压力或光传感器的应用中，MUN2211JT1可以帮助提高信号的稳定性和准确性。

6. 工业自动化：
   - 在工业控制系统中，MUN2211JT1可用于驱动继电器、光电耦合器等负载，实现对生产线或机械设备的精确控制。其预偏置设计简化了电路设计，减少了外部元件的数量，降低了成本。

7. 消费电子产品：
   - 在各种消费电子产品中，如遥控器、智能家居设备等，MUN2211JT1可以用作信号传输和控制的关键元件，确保设备的可靠性和响应速度。

总之，MUN2211JT1凭借其优异的电气性能和预偏置设计，广泛应用于各类需要高效、可靠信号处理和控制的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
产品分类	晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	MUN2211JT1
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 300µA， 10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	35 @ 5mA，10V
供应商器件封装	SC-59
功率-最大值	230mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管类型	NPN - 预偏压
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	10k
电阻器-基底(R1)(Ω)	10k
频率-跃迁	-