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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTZJT-7712B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTZJT-7712B价格参考。ROHM SemiconductorMTZJT-7712B封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 12V 500mW ±3% Through Hole MSD。您可以下载MTZJT-7712B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTZJT-7712B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的MTZJT-7712B是一款单齐纳二极管,具有特定的应用场景和优势。这款二极管主要用于电路中的稳压、限幅及电压参考等功能。 1. 稳压应用 MTZJT-7712B的主要应用场景之一是作为稳压元件。它能够在电路中提供稳定的参考电压,确保输出电压在一定范围内波动较小。例如,在电源电路中,齐纳二极管可以用来稳定输出电压,防止因输入电压波动或负载变化导致的电压不稳定问题。这种特性使得MTZJT-7712B广泛应用于各种需要精确电压控制的场合,如传感器供电、模拟电路中的基准电压源等。 2. 过压保护 该型号的齐纳二极管还可以用于过压保护。当电路中的电压超过设定值时,齐纳二极管会导通,将多余的电压通过自身泄放掉,从而保护后端电路不受损坏。例如,在通信设备、工业控制系统等场合,MTZJT-7712B可以有效防止瞬态高压对敏感电子元件的损害,提高系统的可靠性。 3. 信号箝位 在信号处理电路中,MTZJT-7712B可以用于信号箝位,限制信号的最大或最小幅度。例如,在音频放大器中,齐纳二极管可以防止信号过载,避免失真;在数字电路中,它可以用于限制输入信号的电平范围,确保信号在安全的工作区间内。 4. 温度补偿 由于齐纳二极管的击穿电压与温度有一定的关系,MTZJT-7712B也可以用于温度补偿电路。通过合理设计,可以使电路在不同温度下保持稳定的性能,适用于对温度敏感的应用场景,如精密测量仪器、汽车电子等。 总结 MTZJT-7712B齐纳二极管凭借其稳定的性能和广泛的适用性,成为众多电子设备中不可或缺的元件。无论是稳压、过压保护还是信号箝位,它都能发挥重要作用,确保电路的安全性和稳定性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 12V 500MW MSD稳压二极管 12V 5MA |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor MTZJT-7712B- |
数据手册 | |
产品型号 | MTZJT-7712B |
PCN过时产品 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 9V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | MSD |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 带盒(TB) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
容差 | ±3% |
封装 | Ammo Pack |
封装/外壳 | DO-204AG,DO-34,轴向 |
封装/箱体 | DO-34 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 5000 |
最大反向漏泄电流 | 200 nA |
最大工作温度 | + 175 C |
最大齐纳阻抗 | 25 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 5,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 12V |
电压容差 | 3 % |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 25 欧姆 |
齐纳电压 | 11.735 V |
齐纳电流 | 20 mA |