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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTM861270LBF由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTM861270LBF价格参考。Panasonic CorporationMTM861270LBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTM861270LBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTM861270LBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6MOSFET PCH MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 2 A |
Id-连续漏极电流 | - 2 A |
品牌 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic |
产品手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJD7004+MTM86127+8+WW |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Panasonic MTM861270LBF- |
数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJD7004+MTM86127+8+WW |
产品型号 | MTM861270LBFMTM861270LBF |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 170 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 120 毫欧 @ 1A,4V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25771 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | WSSMini6-F1 |
其它名称 | MTM861270LBFCT |
功率-最大值 | 540mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Panasonic |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 170 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | WSSMini-6-F1 |
工厂包装数量 | 10000 |
晶体管极性 | P-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
漏极连续电流 | - 2 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |
配置 | Single |